英特爾公司今天宣布其成為全球第一家在45納米制程邏輯技術開發中取得重大成果的公司。英特爾已經成功生產出了全球首款采用45納米制程技術的全功能SRAM（靜態隨機存取內存）芯片。45納米制程技術將被大規模應用于制造英特爾公司的下一代芯片。
這一重大成就說明英特爾正向著在2007年利用45納米制程技術在300毫米晶圓上生產芯片這一目標快速邁進。同時，它還意味著英特爾將繼續致力于推進摩爾定律的延伸，每兩年推出新一代全新制程工藝技術。
目前，英特爾在大批量生產65納米芯片方面居于行業領先地位，并已經擁有兩家65納米芯片制造工廠，分別位于美國亞利桑那州和俄勒岡州。2006年，英特爾在愛爾蘭和美國俄勒岡州還將有兩家新的65納米芯片制造工廠全面投產。
英特爾公司副總裁兼技術與制造事業部總經理Bill Holt談到：“作為首家率先推出45納米芯片成品并已經具有大規模65納米芯片生產能力的公司，英特爾彰顯了其在芯片技術和芯片制造方面的領先地位。英特爾長期以來一直致力于讓大眾在每次技術飛躍中切實受益。我們的45納米技術為個人電腦實現更高的每瓦性能比奠定了基礎，能夠帶來更好的用戶體驗。”
英特爾45納米制程技術將提供比現有芯片低5倍的漏電率。這將顯著延長移動設備的電池使用壽命，并推進體積更小但功能更強大的平臺的構建。
45納米SRAM芯片包含超過10億個晶體管。雖然SRAM不作為英特爾產品，但在處理器和其它邏輯芯片采用45納米制造工藝之前，SRAM證明了其出色的技術性能、制程良率（process yield）與芯片可靠性。這是朝著邁向大規模生產全球最復雜設備這一目標的關鍵的第一步。
除了最初開展45納米研發工作的、位于俄勒岡州的D1D工廠外，英特爾也同時宣布了其正在建設中的另外兩個將具有大規模生產能力的45納米芯片制造工廠，分別是位于亞利桑那州的32號工廠和以色列的28號工廠。
